1 CN**12324.1 高频肖特基二极管
2 CN**37322.1 一种ZnO肖特基二极管
3 CN**41455.6 肖特基势垒二极管及其制造方法
4 CN**41456.4 肖特基势垒二极管及其制造方法
5 CN**41457.2 肖特基势垒二极管及其制造方法
6 CN**47950.X 集成型肖特基势垒二极管及其制造方法
7 CN03116008.5 一种肖特基二极管的原型器件及其制备方法
8 CN**07331.7 低顺向电压降肖特基屏蔽二极管及其制造方法
9 CN03110075.9 结势垒控制肖特基二极管终端及方法
10 CN**27232.8 肖特基势垒二极管的制造方法
11 CN**27231.X 肖特基势垒二极管及其制造方法
12 CN**27233.6 肖特基势垒二极管及其制造方法
13 CN**52936.1 肖特基势垒二极管及其制造方法
14 CN96119206.2 有稳定双极晶体管和肖特基二极管的半导体器件制造方法
15 CN99126965.9 肖特基二极管、整流器及其制造方法
16 CN00120878.0 新型金属半导体接触制作肖特基二极管
17 CN01801189.6 制造肖特基变容二极管的方法
18 CN200610030559.4 集成肖特基二极管的沟槽型MOS的制作方法
19 CN200610030632.8 肖特基势垒二极管
20 CN200610030635.1 肖特基势垒二极管结构
21 CN200610097597.1 具有低电流集边效应的金属/氮化镓铝/氮化镓横向肖特基二极管及其制备方法
22 CN200680022408.2 具有改进的浪涌能力的肖特基二极管
23 CN200680025439.3 具有抑制的少数载流子注入的**结势垒肖特基二极管
24 CN02810570.2 双掩模沟槽肖特基二极管
25 CN01821927.6 肖特基二极管
26 CN200310122345.6 新结构肖特基毫米波混频二极管
27 CN03818175.4 沟槽肖特基势垒二极管
28 CN200510121579.8 具有垂直势垒的肖特基二极管
29 CN200510050890.8 一种锗硅肖特基二极管及其制作方法
30 CN200510050892.7 锗硅肖特基二极管及其制作方法
31 CN200510060565.X 一种多晶锗硅肖特基二极管及其制备方法
32 CN200410084702.9 金属氧化物半导体场效应晶体管和肖特基二极管结合的**小外形封装
33 CN200610059868.4 肖特基二极管及制作方法
34 CN200610059869.9 肖特基二极管及其制造方法
35 CN200580013066.3 在本征半导体和欧姆接触之间具有P掺杂半导体的有机肖特基二极管
36 CN200510111690.9 一种肖特基二极管
37 CN200580027614.8 减小电容和开关损失的肖特基二极管结构及其制造方法
38 CN200610034222.0 一种获取肖特基二极管结参数的方法
39 CN200710037274.8 一种利用界面氧化层制备NiSi/Si肖特基二极管的方法
40 CN200980131020.X 肖特基势垒二极管和制造肖特基势垒二极管的方法
41 CN201110000638.1 一种低电容肖特基二极管的制造方法
42 CN201110042987.X 表面电场屏蔽式肖特基二极管芯片的制造方法
43 CN201110086509.9 双层硅外延片结构肖特基二极管芯片
44 CN201110066973.1 具有肖特基二极管测温的大功率LED
45 CN201010141986.6 具有肖特基二极管的沟槽式功率半导体结构及其制造方法
46 CN201010132087.X 一种指数掺杂的GaAs肖特基变容二极管及其制作方法
47 CN201110129276.6 叠置Plt;supgt;+lt;/supgt;-P结势垒控制肖特基二极管
48 CN201010141906.7 具有肖特基二极管的功率半导体结构及其制造方法
49 CN201010186754.2 整合肖特基二极管与功率晶体管于基材的制造方法
50 CN201010232531.5 金氧半导体场效晶体管与肖特基二极管的整合及制作方法
51 CN201010246093.8 肖特基二极管
52 CN201110344162.3 具有高反向阻断性能肖特基二极管及其制造方法
53 CN02265178.0 一种肖特基二极管
54 CN02260517.7 ZnO肖特基二极管
55 CN00258256.2 纳米硅肖特基二极管
56 CN200420110479.6 MOSFET和肖特基二极管结合的**小外形封装
57 CN200520013604.6 一种锗硅肖特基二极管
58 CN200520013605.0 锗硅肖特基二极管
59 CN200520014504.5 一种多晶锗硅肖特基二极管
60 CN201120104488.4 新型**肖特基二极管
61 CN201120063057.8 可降低正向导通压降的肖特基二极管
62 CN201120064944.7 低正向导通压降的肖特基二极管
63 CN201120063042.1 高抗静电能力的肖特基二极管
64 CN201120008399.X 肖特基势垒二极管
65 CN201120285403.7 一种肖特基二极管
66 CN2011202**29.8 片式肖特基二极管
67 CN**57828.1 高频肖特基二极管的电化学制作方法
68 CN03152820.1 肖特基势垒二极管的制造方法
69 CN02813193.2 **肖特基势垒二极管及其制作方法
70 CN200580023029.0 由**制造的单片垂直结场效应晶体管和肖特基势垒二极管及其制造方法
71 CN200710046545.6 一种肖特基二极管
72 CN200810035940.9 使用肖特基二极管为选通管的相变存储单元及制备方法
73 CN200810004909.9 具有多划分的保护环的肖特基二极管结构及制备方法
74 CN200810024202.4 纳米硅肖特基二极管
75 CN200810055079.2 低正向压降肖特基二极管用材料的外延方法
76 CN200680043862.6 肖特基势垒二极管及其使用方法
77 CN200810097192.7 肖特基二极管及其形成方法
78 CN200810109862.2 具有共同封装的肖特基二极管的高压高功率升压变换器
79 CN200810125145.9 底部阳极肖特基二极管的结构和制造方法
80 CN2006800**50.X 具有不同的氧化物厚度的沟槽****基势垒二极管
81 CN20081**1130.4 集成有****基二极管的平面MOSFET及其布局方法
82 CN200710094183.8 集成****基二极管制造方法
83 CN200810207453.6 基于含锑的****基二极管及自对准制造方法
84 CN200710094241.7 ****基二极管等效电路模型及其参数提取方法
85 CN200710094349.6 ****基势垒二极管器件及其制作方法
86 CN200780019057.4 具有集成****基二极管的高密度沟槽FET及制造方法
87 CN200810207298.8 自对准****基二极管及相应电阻转换存储器制造方法
88 CN200810182319.5 在有源区接触沟槽中具有集成****基二极管的MOS器件
89 CN200810205004.8 ****基二极管及制造方法、电阻转换存储器制造方法
90 CN20081**359.9 半导体器件的****基二极管及其制造方法
91 CN200910080023.7 变温****基二极管特性测试仪
92 CN200680055418.6 一种应用于亚微米集成电路的****基二极管及其制造方法
93 CN200780028611.5 用于SiC****基二极管的钼势垒金属及制造工艺
94 CN200780033962.5 具有浮岛的结势垒****基二极管
95 CN200780034677.5 沟槽结势垒可控****基二极管
96 CN200910022016.1 场限环结构的4H-SiC PiN/****基二极管制作方法
97 CN200910022015.7 偏移场板结构的4H-SiC PiN/****基二极管及其制作方法
98 CN200880000260.1 ****基势垒二极管及其产生方法
99 CN200880001214.3 ****基势垒二极管
100 CN200910108301.5 ****基二极管测试方法
101 CN200910055371.9 一种CMOS嵌入式****基二极管制造方法
102 CN200910151007.2 沟槽式****基二极管及其制作方法
103 CN200810155746.4 一种高抗静电****基二极管
104 CN200910055194.4 一种****基二极管及其制备方法
105 CN20081**4822.4 底部阳极****基二极管的结构与形成方法
106 CN200910195418.1 一种****基二极管结构
107 CN200880017609.2 结势垒****基二极管
108 CN200910137640.6 具有外延式护环的****基二极管元件及其制作方法
109 CN201010199669.X ****基二极管、半导体存储器及其制造工艺
110 CN201010208580.5 沟槽式****基势垒二极管整流器件及制造方法
111 CN201010208588.1 一种沟槽式****基势垒二极管整流器件及制造方法
112 CN200980102418.0 用于交叉点可变电阻材料存储器的三维和三维****基二极管、其形成工艺及其使用方法
113 CN201010235701.5 一种****基二极管的制备方法
114 CN200910193179.6 一种功率型AlGaN/GaN****基二极管及其制作方法
115 CN200910050995.1 一种****基势垒二极管及其制备方法
116 CN200910207265.8 沟道式MOS P-N 结****基二极管结构及其制作方法
117 CN200910153797.8 **功率****基二极管电子沟道漏电流的方法
118 CN200810143477.X **节能****基二极管
119 CN200810044006.3 一种****基二极管的制备方法
120 CN200810044007.8 ****基二极管的制备方法
121 CN200810044126.3 功率MOS晶体管与****基二极管的集成方法及结构
122 CN2010**7259.9 一种场板结构的氮化镓基****基二极管
123 CN200810185030.9 具有****基二极管的高压半导体元件
124 CN201010023066.4 PN结和****基结混合式二极管及其制备方法
125 CN200910150018.9 用于高压P阱****基二极管的稳固结构
126 CN200910077622.3 一种调节金属和硅形成的****基二极管势垒的方法
127 CN201010121451.2 一种N-P互补****基二极管结构
128 CN201010138167.6 共用金属层的****基二极管和相变存储器及其制造方法
129 CN201010128896.3 氮化镓异质结****基二极管
130 CN200910127931.7 PMOS晶体管与****基二极管的整合元件
131 CN200910127932.1 接面晶体管与****基二极管的整合元件
132 CN201010159866.9 单胞中集成****基二极管的沟槽MOS器件及制造方法
133 CN200910087347.3 一种GaAs****基变容二极管及其制作方法
134 CN201010252352.8 **半导体基****基二极管作为开关的相变存储器及方法
135 CN200910117736.6 ****基二极管金属结构正反向腐蚀工艺
136 CN200910199056.3 一种****基二极管
137 CN201010292303.7 基于ZnO****基二极管的相变随机存储器阵列及制作方法
138 CN200980112917.8 低漏电流和/或低导通电压的****基二极管
139 CN201010273800.2 高电压半导体器件中的集成****基二极管
140 CN200910246945.0 具有****基势垒二极管的集成电路结构
141 CN200980113919.9 集成式低泄漏****基二极管
142 CN200910195628.0 ****基二极管的制造方法
143 CN201010529792.3 一种功率型GaN基****基二极管及其制作方法
144 CN201010244364.6 与沟槽-栅极DMOS兼容的集成保护式****基二极管结构及方法
145 CN200910201856.4 功率MOS晶体管内集成****基二极管的工艺方法
146 CN200980126014.5 具有电流浪涌能力的结势垒****基二极管
147 CN200910201907.3 功率MOS晶体管内集成****基二极管的器件及制造方法
148 CN201010140285.0 具有****基二极管的沟槽MOS装置及其制造方法
149 CN200910310992.7 一种新型GaAs****基二极管及其制作方法
150 CN200910201958.6 集成有****基二极管的功率MOS晶体管器件的制造方法
151 CN200910312392.4 高斯掺杂的砷化镓****基变容二极管及其制作方法
152 CN201010612279.0 光伏旁路****基二极管的制造工艺
153 CN201110048055.6 瞬变电压抑制二极管和****基二极管组合的晶体管
154 CN201010606131.6 一种****基二极管的正面电极结构及其工艺制造方法
155 CN201010624604.5 与功率芯片相兼容的集成的沟槽防护型****基二极管结构及方法
156 CN201110045710.2 具有****基势垒二极管的**半导体装置及其制造方法
157 CN201110179347.3 一种****基二极管
158 CN201110138222.6 具有合并的场板和保护环的****基二极管
159 CN201110261247.5 ****基二极管及其制作方法
160 CN20111030**2.8 功率晶体管内集成****基二极管的器件及其形成方法
161 CN201110317165.8 一种铟镓锌氧化物****基二极管器件及其制备方法
162 CN201010258080.2 在深沟槽****基二极管晶圆的深沟槽内淀积多晶硅的方法
163 CN201110380007.7 SiC****基二极管及其制作方法
164 CN03229806.4 一种****基二极管的原型器件
165 CN200720**17.2 ****基二极管
166 CN200820188102.0 改进的****基二极管双顶头引线
167 CN200920106228.3 变温****基二极管特性测试仪
168 CN200820160635.8 高抗静电****基二极管
169 CN201020174860.4 单胞中集成****基二极管的沟槽MOS器件
170 CN200920179935.5 一种3A****基二极管的引线
171 CN200920222117.9 一种****基二极管
172 CN201020235989.1 沟槽式****基势垒二极管整流器件
173 CN201020236007.0 一种沟槽式****基势垒二极管整流器件
174 CN201020185433.6 片式****基二极管
175 CN20102025**.0 网格保护结构****基二极管
176 CN201020528584.7 贴片式双****基二极管
177 CN201020635216.2 ****基二极管
178 CN201120050564.8 瞬变电压抑制二极管和****基二极管组合的晶体管
179 CN201120099362.2 双层硅外延片结构****基二极管芯片